ROHM 将在 electronica 2026 展示面向 AI、下一代出行与工业创新的半导体技术
ROHM Semiconductor Europe 将于 2026 年 11 月 10 日至 13 日在慕尼黑 electronica 2026 的 C3 馆 520 展位展示面向 AI 基础设施、电动出行和工业自动化的功率与模拟半导体方案。重点包括 AI 服务器电源方案、面向汽车的 E-Powertrain、ADAS 与照明方案，以及边缘 AI 方案 Solist-AI 和太赫兹技术演示。
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ROHM 罗姆的精选
罗姆 ROHM精选AI 评分6060
罗姆 ROHM精选AI 评分6060 ROHM 碳化硅芯片助力 BMW "Neue Klasse" 电驱架构
ROHM 宣布其 SiC 功率半导体已用于 BMW "Neue Klasse"（第六代电动车）电驱系统，支撑电力电子关键功能。ROHM 称其 SiC MOSFET 有助于提升能效、续航与充电性能，并在严苛车载条件下保持可靠运行。ROHM Semiconductor GmbH 总裁 Wolfram Harnack 表示，这一集成体现了公司在汽车功率电子领域的技术实力。
罗姆 ROHM精选AI 评分6060 罗姆推出车规MOSFET RS4P063BPHZG，宽SOA达同级约5倍
罗姆（ROHM）开发出100V MOSFET RS4P063BPHZG，面向车载安全功能和保护电路，在V DS=100V、P W=100μs条件下SOA耐受能力约为同尺寸标准产品的5倍。
推荐理由：原文给出了新器件在100V、100μs条件下的SOA倍数和封装兼容性，读者可据此判断车规功率器件的替换成本。
罗姆 ROHM精选AI 评分6060 罗姆推出第4代650V IGBT，导通损耗VCE(sat)低至1.55V
罗姆（ROHM）开发第4代650V IGBT，面向汽车电动压缩机、HV加热器及工业设备逆变器，导通损耗VCE(sat)=1.55V，短路耐受时间7µs（Tj=25°C），符合AEC-Q101车规标准。
推荐理由：原文给出导通损耗、短路耐受时间与封装型号，可据此判断车用与工业功率器件的选型空间。
罗姆 ROHM精选AI 评分6060 ROHM 发布第二代太赫兹波振荡器件，输出功率提升至 4 倍
ROHM 推出基于共振隧穿二极管（RTD）的第二代太赫兹波振荡器件，输出功率提升至第一代的约 4 倍，最高达 40µW，芯片尺寸维持 0.5 × 0.5mm。配套 RTD-EVK-G2 评估套件计划于 2026 年 8 月开售，每套 3,300 美元（不含税），购买需与 ROHM 签署 NDA。
罗姆 ROHM精选AI 评分6060 ROHM 推出 Engineer Social Hub 英文版：工程师支持工程师
ROHM 发布 Engineer Social Hub 英文版，将半导体产品与解决方案的技术内容集中到一个在线平台。用户无需登录即可阅读和搜索 FAQ 与讨论，注册会员后可发帖提问，并获得 ROHM 工程师的直接支持。平台还设有社区交流与积分机制，覆盖模拟 LSI、功率器件、模块产品和电阻等品类。