罗姆 ROHM·· 2026-08-25精选AI 评分60
罗姆推出第4代650V IGBT，导通损耗VCE(sat)低至1.55V
ROHM Introduces 650V IGBTs Achieving Industry-Leading* Low Loss Characteristics
AI 导读
罗姆（ROHM）开发第4代650V IGBT，面向汽车电动压缩机、HV加热器及工业设备逆变器，导通损耗VCE(sat)=1.55V，短路耐受时间7µs（Tj=25°C），符合AEC-Q101车规标准。
推荐理由
原文给出导通损耗、短路耐受时间与封装型号，可据此判断车用与工业功率器件的选型空间。
来源：罗姆 ROHM · rohm.com