国民技术发布 NS1KW48VB2B2 1kW 非隔离双向 DC-DC 参考方案
国民技术发布 NS1KW48VB2B2 参考方案,9~15V 低压输入、48V 高压输出(测试兼容 53.5V),双向功率最高 1kW,峰值效率 95.1%(@285W,Vin=12V,Vout=53.5V)。
推荐理由:方案给出了拓扑、实测效率与主控芯片规格,电源工程师可据此判断单功率级双向架构是否适配低压电池场景。
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国民技术 MCU 与安全芯片动态:新品发布、方案与公司进展。
8 条精选近 30 天 8 条共收录 14 条
国民技术发布 NS1KW48VB2B2 参考方案,9~15V 低压输入、48V 高压输出(测试兼容 53.5V),双向功率最高 1kW,峰值效率 95.1%(@285W,Vin=12V,Vout=53.5V)。
推荐理由:方案给出了拓扑、实测效率与主控芯片规格,电源工程师可据此判断单功率级双向架构是否适配低压电池场景。
国民技术推出面向 800G/1.6T 高速光模块的主控 MCU N32H493MGB7-1,现已开放样品申请。该芯片采用 Cortex-M4F 内核、主频 240MHz,配备 1MB 双 BANK Flash(支持存储加密与 ECC)和 576KB SRAM,采用 WLCSP80 封装并与海外主流方案引脚兼容。
推荐理由:面向 800G/1.6T 光模块的主控 MCU 选型信息,把 CMIS 5.x、OCP 安全启动与 CRA 三道合规要求对应到具体规格。
国民技术在 2025 慕尼黑上海电子展发布 N32H785、N32H785EC、N32H787、N32H788 四大系列 Arm Cortex-M7+M4 双核异构 MCU,以及基于 Cortex-M7 内核的 N32H760、N32H762、N32H765、N32H765EC 系列,其中 N32H788EC 与 N32H765EC 集成 EtherCAT 从站接口。
推荐理由:原文给出双核异构 MCU 的型号、内核组合与机器人关节、灵巧手等具体落地方案,可据此判断国产 MCU 在人形机器人控制链上的位置。
国民技术发布 NP11/NP12/NP21 系列高性能多协议快充协议 SoC 芯片,采用 32 位 Arm Cortex-M4 内核,主频最高 128MHz,内置 64KB Flash 与 16KB SRAM,支持 PD2.0/PD3.1、QC2.0/QC3.0、UFCS 融合快充及 APPLE 2.4A 等协议,并支持用户二次开发。
推荐理由:原文列出了芯片内核、存储、协议支持与量产节奏,可据此判断快充方案的可开发空间。
国民技术发布国内首款基于 Arm Cortex-M7+M4 双核异构的 N32H78x 系列高性能 MCU,以及基于 Cortex-M7 单核的 N32H76x 系列。
推荐理由:国民技术公布双核异构 MCU 的内核规格、外设配置与量产节奏,可供关注机器人及工控芯片选型的人参考。
国民技术在2025深圳国际电子展展出50余件创新产品与解决方案,并获“年度AI市场领军企业奖”。其N32H474数字电源MCU方案NS3KW53V5P2L3整机峰值效率≥97.7%,已导入多家客户并量产;N32H7系列MCU已用于伺服、机器人关节等高端控制市场。
国民技术在2026工博会上展出面向机器人关节的N32系列MCU方案:主关节与运动小脑采用N32H785EC/N32H765EC,后者为M7@600MHz+M4@300MHz双核异构,带2 port EtherCAT。次级伺服关节用N32MD473等单芯片集成方案精简BOM,灵巧手则采用N32H765EC加N32H473/N32G430的分布式多芯片架构。
国民技术发布NS3KW53V5L2参考方案,这是一款基于SiC MOSFET与N32DP474系列MCU的3kW两相交错LLC数字电源,420-450VDC输入、53.5VDC输出,峰值效率97.3%。
推荐理由:官方给出峰值效率、功率密度与动态响应实测数据,可据此判断该方案在AI服务器电源中的落地空间。