瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V 双面散热 GaN 器件
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瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V 双面散热 GaN 器件
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报道摘要
瑞萨电子推出业界首款采用双面散热封装的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，8x8mm PQFN 封装比 10x15mm TOLT 缩小 57%，导通电阻 20 mΩ，顶部热阻降低 10%。
摘自 瑞萨 Renesas 官网新闻
最新进展10月17日 14:17
瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V 双面散热 GaN 器件报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月17日
- 瑞萨 Renesas 官网新闻精选瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V 双面散热 GaN 器件
瑞萨电子推出业界首款采用双面散热封装的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，8x8mm PQFN 封装比 10x15mm TOLT 缩小 57%，导通电阻 20 mΩ，顶部热阻降低 10%。