瑞萨 Renesas 官网新闻·2026-10-17 14:17· 16 天前精选AI 评分66

瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V 双面散热 GaN 器件

Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers

AI 导读

瑞萨电子推出业界首款采用双面散热封装的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，8x8mm PQFN 封装比 10x15mm TOLT 缩小 57%，导通电阻 20 mΩ，顶部热阻降低 10%。

推荐理由

原文给出了封装尺寸、热阻和参考设计效率等具体参数，读者可据此判断 800V 数据中心供电方案的选型空间。