瑞萨推出首款面向 AI 数据中心与机器人的低压 GaN FET
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瑞萨推出首款面向 AI 数据中心与机器人的低压 GaN FET
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报道摘要
瑞萨电子扩展 GaN 产品线，推出首批 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化与工业电机驱动等场景。
摘自 瑞萨 Renesas 官网新闻
最新进展10月17日 14:17
瑞萨推出首款面向 AI 数据中心与机器人的低压 GaN FET报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月17日
- 瑞萨 Renesas 官网新闻精选瑞萨推出首款面向 AI 数据中心与机器人的低压 GaN FET
瑞萨电子扩展 GaN 产品线，推出首批 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化与工业电机驱动等场景。