瑞萨 Renesas 官网新闻·· 16 天前精选AI 评分66
瑞萨推出首款面向 AI 数据中心与机器人的低压 GaN FET
Renesas Expands GaN Portfolio with First Low-Voltage GaN FETs for AI Data Centers and Robotics
AI 导读
瑞萨电子扩展 GaN 产品线，推出首批 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化与工业电机驱动等场景。
推荐理由
原文给出了低压 GaN FET 的开关损耗与功率密度数据，可据此判断 AI 数据中心供电架构的选型空间。
来源：瑞萨 Renesas 官网新闻 · renesas.com